압전적 압력 센서

압전적 압력 센서주로 압전성 효과를 기반으로합니다. 압전성 효과는 기계적 스트레스 하에서 재료의 저항의 변화를 설명하는 데 사용됩니다. 압전 효과와 마찬가지로, 압전 효과는 전하가 아닌 임피던스의 변화를 생성합니다.

압전적 인 효과는 대부분의 금속성 및 반도체 물질에서 발견되었습니다. 그것들에서 반도체 재료의 압전적 효과는 금속의 영향보다 훨씬 큽니다. 실리콘은 오늘날의 통합 회로의 주류이기 때문에 실리콘으로 만들어진 신경 저항성 요소의 적용은 매우 의미가 있습니다. 물질 자체의 스트레스 관련 저항은 금속의 정도보다 수백 배 더 크게 만듭니다. N- 타입 실리콘의 저항 변화는 주로 3 개의 전도 밴드 계곡 쌍의 변위에 의해 야기 된 다른 모방의 전도 밴드 계곡 사이의 운반체의 재분배 때문입니다. 차례로 다른 흐름 방향의 이동성을 변화시킨다. P- 타입 실리콘에서 밴드 밸리.이 현상은 더욱 복잡해지고 동등한 질량 변화와 홀 변환으로 이어집니다.

압전적 압력 센서는 일반적으로 리드를 통해 Wheatstone Bridge에 연결되어 있으며, 일반적으로 민감한 코어에는 외부 압력이 없으며 브리지는 균형 잡힌 상태 (제로 위치)에 있습니다. 센서가 압력이 가해지면 칩 저항이 변경되고 브리지가 균형을 잃게됩니다. 브리지에 일정한 전류 또는 전압 전원 공급 장치가 브리지에 추가되면 브리지는 압력에 해당하는 전압 신호를 출력하여 센서의 저항 변화가 브리지를 통해 압력 신호 출력으로 변환됩니다. 브리지는 저항 값의 변화를 감지하고, 방출 된 신호를 통해 전류가 변환됩니다. 전류 신호는 비선형 보정 루프, 즉 선형 해당 관계를 갖는 입력 전압이 생성되는 4-20 Ma의 표준 출력 신호에 의해 보상됩니다.

코어의 저항 값에 대한 온도 변화의 영향을 줄이고 측정 정확도를 향상시키기 위해 압력 센서는 온도 보상 측정을 채택하여 제로 드리프트, 감도, 선형성 및 안정성과 같은 높은 수준의 기술 지표를 유지합니다.